Libor Fajmon - 19.11.2004 9:21:27
Nejsem chemik, potřeboval bych odborný náhled na počáteční teplotu rozkladu SiC v oxidační atmosféře, velikost zrna cca 5-10 mikrometrů. Sic byl na povrchu keramiky a prošel pecí s teplotou 850°C, spektrální analýzou provedenou po průchodu pecí byl určen pouze samotný Si na povrchu. Otázka zní : mohlo při teplotě 850°C působením rozkladu SiC dojít k redukci kysličníků ruthenia ? Předem velice děkuji za odpověď. Libor Fajmon
|